买卖IC网 >> 产品目录 >> H811R3BDBR 金属膜电阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 11.3 datasheet 半导体模块
型号:

H811R3BDBR

库存数量:可订货
制造商:TE Connectivity / Holsworthy
描述:金属膜电阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 11.3
RoHS:
详细参数
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产品分类 半导体模块 >> 金属薄膜电阻器
描述 金属膜电阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 11.3
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制造商 TE Connectivity / Holsworthy
电阻 11.3 Ohms
容差 0.1 %
功率额定值 250 mW (1/4 W)
电压额定值
温度系数 25 PPM / C
端接类型 Axial
工作温度范围
尺寸 2.5 mm Dia. x 7.2 mm L x 0.6 mm H
封装
相关资料
属性
链接
代理商 H811R3BDBR
H-81-4-N
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H82V731
H831
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  • H811R3BDBR 参考价格
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