H811R3BDBR datasheet
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>> H811R3BDBR 金属膜电阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 11.3 datasheet 半导体模块
型号:
H811R3BDBR
库存数量:
可订货
制造商:
TE Connectivity / Holsworthy
描述:
金属膜电阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 11.3
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
半导体模块 >> 金属薄膜电阻器
描述
金属膜电阻器 - 透孔 H8 0.1% 1/4W 11.3
H811R3BDBR PDF下载
制造商
TE Connectivity / Holsworthy
电阻
11.3 Ohms
容差
0.1 %
功率额定值
250 mW (1/4 W)
电压额定值
温度系数
25 PPM / C
端接类型
Axial
工作温度范围
尺寸
2.5 mm Dia. x 7.2 mm L x 0.6 mm H
封装
相关资料
属性
链接
代理商
H811R3BDBR
H-81-4-N
H-81-4-SMA
H826
H82V731
H831
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491934(手机优先微信同号)
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深圳市华盛锦科技有限公司
0755-23915071
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江先生
深圳市华金瑞电子有限公司
15323844149
刘
H811R3BDBR 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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